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「网上投注用户注册网易时时彩」格罗方德与三星宣布重大突破,FD-SOI迈入新里程

2020-01-09 14:16:25 阅读:3937

「网上投注用户注册网易时时彩」格罗方德与三星宣布重大突破,FD-SOI迈入新里程

网上投注用户注册网易时时彩,日前在上海举办的fd-soi论坛上,参会的中外同行明显比去年多,而且,对于fd-soi的自信也明显的写在了他们的脸上。而作为衬托的是,来自中国地方政府的官员也增多了,比如来自成都、重庆的地方官员,他们都希望将传说中的中国首条fd-soi 12寸产线落户到自己的产业基地……

这一次会议,soi的三大晶圆代工领头羊——格罗方德(globalfoundries)、三星半导体与意法半导体均宣布了重大突破。

格罗方德宣布了将在2019年上半年为客户流片基于12nm的fd-soi(gf称为12fdx)产品,这也是fd-soi产业首次明确的向大家展示了fd-soi的路线图,指明了方向。同时,格罗方德还宣布,明年年中将有超过10个客户的基于22nm fd-soi工艺(22fdx)的芯片进入量产,而目前已有22fdx的客户超过50家。“我们的基于软件控制的体偏fd-soi工艺,可以实现定制的‘按需提供峰值性能’,同时平衡静态与动态功耗从而实现了最优的性能与功耗匹配。加上soi工艺对于rf和模拟器件的集成优势,这对于未来的主流手机芯片、5g、vr/ar、iot都是最合适的工艺选择。”格罗方德产品管理事业群高级副总裁alain mutricy表示。他预测,2019年他们的12fdx量产时,将会是手机芯片公司的重要选择。“那些极高端的智能手机芯片可能仍会采用finfet(到时可能会是7nm finfet),但是大部分主流的手机,采用我们12fdx已经足够,我们能够以低于16/14nm finfet的成本与功耗提供等同于10nm finfet的性能。”alain mutricy称。

相对于格罗方德的激进,三星则是更稳成一些。三星lsi执行副总裁jong-shik yoon向大家宣布,经过几年的努力,去年底他们已解决了28nm fd-soi的良率问题,现在正式宣布28nm fd-soi工艺已经成熟,并且已有超过12个客户的芯片正在流片中,主要针对的是iot芯片以及mcu产品。“我们认为28nm fd-soi将会是一个很有前景,很长生命周期的工艺。”他表示。而对于28nmn fd-soi的演进路线,他虽然没有透露详细的内容,但是他表示:“三星已经完全做好了准备,开始下一代fd-soi的技术。”他幽默地透露:“可能不仅有28nm fd-soi。”

而意法半导体这一次则是带来了几乎令参会的老外们集体“高潮”的产品——外观华丽的华米最新的运动手表。虽然这款手表两周前在北京发布了,但是这一次,因为它里面采用了索尼的一颗最新的基于28nm fd-soi的gps,而这颗gps由意法半导体代工。基于意法与三星的合作伙伴关系,前者仅会做小批量的代工,量大后则可能会转移到三星,而它里面的重要的薄膜基材采用了soitec公司的产品,而这一家公司可以说是fd-soi的最大推动者,多年的努力,终于迎来了fd-soi首款大批量量产的芯片。所以,从索尼、到意法半导体、到三星、到soitec都为这一产品激动不已。“它是我们的baby。”soitec的副总裁、soi联盟的执行官giorgio cesana以这样一种情不自己的语气说道。

索尼iot业务部总经理松冈伸泰解释,由于采用了最新的28nm fd-soi,这一颗最新的gps(5603gf)电压也由之前的1.1v降到0.6v,而功耗由前一代的6.3mw降到了1.5mw。“我们与代工厂一起,克服了挑战,将所有逻辑电路、sram以及模拟电路的电压都降到了0.6v,所以实现了gps芯片的功耗大幅下降。”他说道。

图题:这就是那颗让索尼、意法半导体、三星、soitec都无比激动的gps芯片,华米新发布的运动手表首次采用。soi联盟的人称之为“我们的baby。”

这一次会议上,来自业界的权威更是乐观地预测了fd-soi在7nm上的可能性。法国原子能中心科研所(cea tech)下属研究机构cea-leti 首席执行官marie semeria指出:“我们通过芯片上的一些测试,对fd-soi在7nm 上的实现作出非常乐观的预测。”而来自国际半导体权威调研机构ibs, inc的创始人兼ceo handel jones也表示,“我们认为fd-soi可以扩展到7nm。”

“本届奥运会中国女排得冠告诉我们一件事情,关键不在于你赢过多少次,而在于是否赢得了关键的那几次。”芯原半导体总裁兼ceo戴伟民博士说道,并且他提出一个新的理论:“由于finfet的高成本与设计挑战,在5nm节点,finfet是否会与fd-soi融合呢?”

fd-soi为什么会比finfet成本与功耗都低?

为什么格罗方作德(globalfoundries)表示,12fdx能够以低于16/14nm finfet的成本与功耗提供等同于10nm finfet的性能呢?竟其原因,是fd-soi采用了更简易的平面晶体管工艺,并且减小了掩膜数与曝光切割。如下图所示。

图题:fd-soi实现低成本与低功耗的原因

以具体数值来看:

1、16nm/14nm finfet工艺成本相当于28nm的两倍

2、16nm/14nm finfet工艺设计周期是28nm的2.4倍,7nm是28nm的5倍,而格罗方德目前成熟的22fdx与16nm/14nm finfet工艺相比可以减少曝光切割50%以上,可以减少

40%掩膜成本,而且无fin-specific规则。“该平台支持全节点缩放,性能比现有finfet工艺提升了15%,功耗降低了50%。而掩膜成本则比少于10nm finfet工艺减少40%!”格罗方德的alain mutricy称。

在能效方面,22fdx由于可以做到超低电压0.4v运行,超低漏电(1pa/um),所以功耗下降不少。前面说的索尼那个意法代工的gps芯片,28nm fd-soi电压也可降到0.6v,所以功耗都实现了大幅降低。“不使用体偏,fd-soi的漏电可以省25%,加上体偏,漏电可以再省5%。”alain mutricy表示,“并且格罗方德采用了软件可控的体偏,可以实现按需设计峰值,定制芯片的性能。这个功能对于智能手机、人工智能处理器以及vr/ar都十分重要。”

芯原半导体董事长戴伟民博士十分看好fd soi,他指出,“从传统的体硅转向fd-soi就像是换个跑道那么简单,但是,如果要转向finfet,挤到finfet的跑道就十分困难了。”芯原半导体与格罗方德、三星以及意法三家fd-soi代工厂都有合作关系,帮助客户进行asic设计,对接fd-soi工艺。

图题:16/14nm finfet与14nm fd-soi的成本比较(来源:ibs)

fd-soi对射频器件的集成优势将助力5g与nb iot(全文请阅读原文)


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